概述BEST-300C型材料電導率測試儀是運用四探針測量原理測試試導體、半導體材料電阻率/方阻的多用途綜合測量儀器。該儀器設(shè)計符合單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準。

儀器成套組成：由主機、選配的四探針探頭和測試臺等三部分組成。

主機主要由數(shù)控恒流源，高分辨率ADC、嵌入式單片機系統(tǒng)組成。自動/手動量程可選；電阻率、方阻、電阻測試類別快捷切換：儀器所有參數(shù)設(shè)定、功能轉(zhuǎn)換全部采用數(shù)字化鍵盤輸入，簡便可靠；具有零位、滿度自校功能；測試結(jié)果由數(shù)字表頭直接顯示。本測試儀采用可充電鋰電池供電，適合手持式變動場合操作使用！

探頭選配：根據(jù)不同材料特性需要，探頭可有多款選配。有高耐磨碳化鎢探針探頭，以測試硅類半導體、金屬、導電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻；也有球形鍍金銅合金探針探頭，可測柔性材料導電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導電膜（ITO膜）或納米涂層等半導體材料的電阻率/方阻。換上四端子測試夾具，還可對電阻器體電阻、金屬導體的低、中值電阻以及開關(guān)類接觸電阻進行測量。配探頭，也可測試電池極片等箔上涂層電阻率方阻。

儀器具有測量范圍寬、精度高、靈敏度高、穩(wěn)定性好、智能化程度高、外形美觀、使用簡便等特點。

儀器適用于半導體材料廠器件廠、科研單位、高等院校對導體、半導體、類半導體材料的導電性能的測試。

技術(shù)參數(shù)測量范圍、分辨率（括號內(nèi)為拓展量程，可定制）

電阻：10.0×10-6 ～ 200.0×103Ω, 分辨率1.0×10-6 ～ 0.1×103  Ω

（1.0×10-6 ～ 20.00×103Ω, 分辨率0.1×10-6 ～ 0.01×103 Ω）

電阻率：10.0×10-6 ～ 200.0×103 Ω-cm 分辨率1.0×10-6 ～ 0.1×103  Ω-cm

（1.0×10-6 ～ 20.00×103 Ω-cm  分辨率0.1×10-6 ～ 0.01×103 Ω-cm）

方塊電阻：50.0×10-6 ～ 1.0×106 Ω/□分辨率5.0×10-6 ～ 0.5×103  Ω/□

（5.0×10-6 ～ 100.0×103 Ω/□  分辨率0.5×10-6 ～ 0.1×103  Ω/□）

材料尺寸(由選配測試臺和測試方式?jīng)Q定)

直徑：SZT-A圓測試臺直接測試方式 Φ15～130mm，手持方式不限

SZT-B/C/F方測試臺直接測試方式180mm×180mm，手持方式不限.

長(高)度：  測試臺直接測試方式 H≤100mm,    手持方式不限.

數(shù)字電壓表：

量程： 20.00mV

誤差：±0.2%FSB±2LSB

大分辨力：1.0μV

顯示: 4位數(shù)字顯示，小數(shù)點自動顯示

數(shù)控恒流源

電流輸出：直流電流0.1μA～1.0A，系統(tǒng)自動調(diào)整。

誤差：±0.2%FSB±2LSB

四探針測試探頭：

有選配的型號確定，詳見《不同半導體材料電阻率/方阻測試的四探針探頭和測試臺選配方法》

電源：功 耗：< 15W，輸入:220V±10%   50Hz±2%

本儀器工作條件為：

溫度：    0-40℃

相對濕度：    ≥60%

工作室內(nèi)應無強電磁場干擾，不與高頻設(shè)備共用電源。

外形尺寸：

主機  245mm（長）×220 mm（寬）×95mm（高）

電阻率：當某種材料截成正方體時，平行對面間的電阻值只與材料的類別有關(guān)，而與正方形邊長無關(guān)，這種單位體積的阻值可反映材料的導電特性，稱為電阻率（體電阻率），記為：ρ，標準單位：Ω-m,常用單位Ω-cm.

方塊電阻：薄膜類導體、半導體材料截成薄層正方形時，平行對邊間的電阻值只與材料的類別（電阻率）和厚度有關(guān)，而與正方形邊長無關(guān)，這種單位面積的對邊間的阻值可反映薄膜的導電特性和厚度信息，稱為方塊電阻，簡稱方阻。記為：R□，標準單位：Ω/□

BEST-300C測試儀能夠測量半導體材料體電阻率ρ、方塊電阻（薄片電阻率）R口以及體電阻R，測量時需調(diào)整相應的修正系數(shù)和選擇相應的功能。

本產(chǎn)品不但提供了電阻率ρ、方塊電阻R口以及體電阻R測試的基本修正系數(shù)設(shè)定，還提供了產(chǎn)品厚度G、外形和測試位置的修正系數(shù)D設(shè)定，極大的提高了測試精度。測試類別的快捷選擇方式，方便了用戶同時測試多個參數(shù)，提高測試效率。

操作概述：

測試準備：

對于電阻器類樣品，用四端子測試線按照圖5-1連接好樣品，對于半導體材料，測試前表面應進行必要的處理。如圖5-2，對于硅材料要進行噴砂或清潔處理，對于薄膜類的要保持表面清潔，必要的要進行清潔。樣品放在平整的臺面上。將測試探頭的插頭與主機的輸入插座連接起來，連接好探頭和主機。將電源開關(guān)置于開啟位置，數(shù)字顯示亮。儀器醉好預熱15分鐘以上，增加讀數(shù)穩(wěn)定性。

測量數(shù)據(jù)

在設(shè)定模式下（設(shè)定完畢，保存好數(shù)據(jù)后），選擇測量類別（電阻率ρ、方塊電阻（薄片電阻率）R口或體電阻R中三選一，切換儀器到“測量”模式，窗口左側(cè)“測量”模式燈亮。電阻測量,注意良好接觸，電壓測試端在內(nèi)側(cè)；半導體參數(shù)測試，將探針與樣品良好接觸，注意壓力要適中；由數(shù)字顯示窗直接讀出測量值。

    注意！測量狀態(tài)中，電流量程默認為自動方式，也可調(diào)整為手動方式，手動方式下，電流量程適合的，儀器會穩(wěn)定顯示數(shù)據(jù)，電流量程不適合的會給出超量程或欠量程閃爍提示，對于超量程，說明電流過大，要調(diào)到較小電流檔；對于欠量程，說明電流過小，要調(diào)到較大電流檔。

設(shè)定修正系數(shù)注意事項：參照表5.1和附表1和附表2

電阻測量:

設(shè)定R=1.000。，其他可以忽略。只讀結(jié)果。

棒狀、塊狀樣品電阻率測量，符合半無窮大的邊界條件:

設(shè)定電阻率基本系數(shù)C，參照表5.1， 厚度修正G=1.000,形狀位置修正D=1.000，只讀結(jié)果。

薄片電阻率測量:

當薄片厚度與針距比W/S>0.5時， 設(shè)定電阻率基本系數(shù)C，參照表5.1，厚度修正G<1.000,形狀位置修正D<1.000,具體值G（W/S）和D（d/S）要查附表1和附表2，只讀結(jié)果。

當薄片厚度與針距比W/S<0.5時,可以先測方阻，再人工計算厚度和位置形狀修正。

電阻率ρ=R口×W×D(d/S),式中W：樣品厚度（cm）, D(d/S)查附表2。

方塊電阻測量:

設(shè)定電阻率基本系數(shù)□：，參照表5.1，厚度修正G忽略，形狀位置修正D<1.000, D（d/S）要查附表2，只讀結(jié)果。

數(shù)據(jù)輸入規(guī)則說明及示例

修正系數(shù)   

在半導體類電阻率或方阻測試中，如果修正系數(shù)計算值遠小于1，為了顯示讀取更多有效數(shù)字，數(shù)據(jù)輸入可采用準科學記數(shù)法，即有效數(shù)字取0.100≤X≤1.000，指數(shù)（單位）取值10-3～103。